3D NAND

Appleのサプライヤーでもある韓国のSKハイニックス（SK Hynix）が、世界初の72層3D NANDフラッシュメモリの開発に成功したというニュースが2〜3日前に流れた。三次元配列による72層256Gb（ギガビット）の3D NANDフラッシュメモリによって、これまでSKハイニックスが量産してきた48層よりも1.5倍のユニットを搭載可能となり、256Gb NANDフラッシュメモリでは32GBの容量が実現可能となる。更に72層3D NANDフラッシュメモリは、速度の面においても従来の48層のものより2倍以上速くなり、またRead/Write性能は20％速くなるという。消費電力も大幅に削減可能だ。

台湾のメディアDigiTimesは1月17日に、台湾のPhison ElectronicsのKhein Seng Pua代表の話として、チップメーカーが現在2D NANDから3D NAND（64層）へのテクノロジー転換の過渡期にあり、それによって一時的に供給の逼迫状態が予想よりもタイトになるとみられ、2017年のスマートフォンのNANDフラッシュメモリに対する需要は相変わらず非常に高いままであろう、という報道をしていた。