フラッシュメモリ

Appleは2017年に半導体にますますお金をかけていることがガートナー（Gartner）の報道でわかりました。具体的な数字としては、Appleは2017年に387億5400万ドル（約4兆2186億円）を使っていて、前年（2016年）比27.5％増えているということです。

Appleのサプライヤーでもある韓国のSKハイニックス（SK Hynix）が、世界初の72層3D NANDフラッシュメモリの開発に成功したというニュースが2〜3日前に流れた。三次元配列による72層256Gb（ギガビット）の3D NANDフラッシュメモリによって、これまでSKハイニックスが量産してきた48層よりも1.5倍のユニットを搭載可能となり、256Gb NANDフラッシュメモリでは32GBの容量が実現可能となる。更に72層3D NANDフラッシュメモリは、速度の面においても従来の48層のものより2倍以上速くなり、またRead/Write性能は20％速くなるという。消費電力も大幅に削減可能だ。

台湾のメディアDigiTimesは1月17日に、台湾のPhison ElectronicsのKhein Seng Pua代表の話として、チップメーカーが現在2D NANDから3D NAND（64層）へのテクノロジー転換の過渡期にあり、それによって一時的に供給の逼迫状態が予想よりもタイトになるとみられ、2017年のスマートフォンのNANDフラッシュメモリに対する需要は相変わらず非常に高いままであろう、という報道をしていた。

最近Appleの次世代iPhone【iPhone 7】の内蔵メモリ（NANDフラッシュストレージ）の情報が多く出回っているが、それらの情報の殆どは示し合わせたかのように一様で、32GBから始まり最大は256GB版がある、というものだ。そして最新のリーク画像が、その証拠として挙げられた。リークされたのは最新の部品規格表で、規格表ではメーカーの名称不明または固定されていない32GBと128GBのストレージと、Toshiba（東芝）の256GBのストレージが記載されている。このリークがどんな会社からリークされたのかはよくわかっていないが、リーク情報を出したTwitterユーザの@the_malignantによれば、このデバイスは来月に発売を控えたiPhone 7のものだという。

1つのスマートフォンの中には、多くの部品が実は複数の異なるサプライヤーから購買されているということはよくあることだ。その目的は生産キャパシティと入荷数量のコントロールのためであるが、購買するバイヤー側のメーカーもできるだけこれらの複数のサプライヤーから購買する製品の差を少なくするか、少なくとも通常の使用には影響を与えないようにしている。

本当に起こっていたのね・・・一部のiPhone6 Plus 128GBがクラッシュ・再起動を繰り返す問題で、数日前に搭載されているNANDフラッシュメモリの種類がTLCの場合、その問題が起こる可能性が高いことが指摘され話題となった。そして自身のiPhone6がその該当するNANDフラッシュメモリを搭載しているかどうかについてiPhone6を開けずに調べる方法（要脱獄）は昨日の記事に書いた。■【iPhone6/6 Plusの64GB/128GBメモリによるクラッシュ・再起動問題】デバイスを開けずに搭載されているNANDメーカーと種類、TLCかどうかを調べる方法【要脱獄】実際に紹介した調査方法で私自身のiPhone6 Plus 128GB 日本版SIMフリーを調査してみたところ、実際に問題が発生する可能性があるNANDフラッシュメモリを搭載していることがわかり（そして少し凹み）、これはどうなるだろうとにわかに関心を持った次第。本日その記事をご覧になった当ブログの読者の方（M様）からタレコミがあり、お […]

Apple(アップル)の次世代iPhone、iPhone6の情報のリークが続いている。今回は128GBモデルが追加されるというニュース。リーク元はまたもや中国の修理屋GeekBarより。リークしたBOM表から、iPhone6の内蔵メモリのサプライヤーはiPhone5s等と同様Sandisk、東芝、ハイニックスの三社で、NANDを採用しているようだ。AndroidのようにEMMCではないという。また、回路図もリークされている。ここにも128GBの文字が。ただ、32GBがなくなっているのが気になるところだ。記事は以上。