iPhone6のRAMが1GBというのは誤り？SoCメモリ専門家の指摘

海外メディア9to5Macによると、昨日当ブログでもお伝えしたApple（アップル）の次世代iPhone「iPhone6」のRAMが現行のiPhone5sと同様1GBに留まるというリーク情報は間違っている可能性があるという。

昨日の情報元のGeekBar張磊の情報では、上記の図によってRAMは1GBであるという「確定情報」を流していたが、9to5Macの報道ではSoCメモリエンジニアのTodd DeRegoが、この回路図のような図面ではこれがDRAMインターフェイスであるかどうかという十分な証拠にならないと述べているという。DeRegoは更に両脇の「AP_TO_NAND」という文字が、アプリケーションプロセッサであるNANDにリンクしていることを示しており、このメモリはファームウェアの起動のためのメモリで、iPhoneのメインメモリなどではないと指摘している。いずれにせよRAMに関しての噂は間違いだということのようだ。

GeekBarの張磊は単なる部品屋、Todd DeRegoはSoC（System on Chip）のメモリ専門家、ということで後者の方が正しいとみた方がいいかもしれない。

ということは、裏を返せばiPhone6のメインメモリに2GB以上が採用されることはあり得るということになる。個人的には新機種は強力なスペックであることを望む。更なる情報に期待しよう。

そしてNFCに関しては簡単に退けていいものではないとのこと。ということでNFC搭載はまだ可能性がありそうだ。

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